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東北大学 電気通信研究所 | 論文
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタ
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタを用いた全加算器
- C-12-9 超高電流利用率を実現したULSI用降圧回路
- C-11-12 GHz動作における拡散層 : 拡散層間クロストークの解析
- C-11-11 Multi-Pillar Surrounding Gate Transistorの高速動作に関する解析
- C-11-7 F__-loatingC__-hannel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける消去動作の解析
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT) Flashメモリセルにおけるフローティングチャネル形成プロセス
- C-11-2 Stacked-SGT DRAMのセルデザインの提案
- C-11-1 低Bit Line容量を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- FLASHメモリ技術動向と将来
- 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAMのアレイ構成及び読み出し方法
- 超低消費電力を指向したULSI用降圧回路
- 理想的なSファクタを実現する完全空乏型Duble-Gate SOI MOSFETのスケーリング理論
- Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- 高速動作・低消費電力M-SGT試作プロセスの提案
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去特性の数値的解析
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリの試作プロセスの提案
- 均一な厚さの極薄シリコン酸化膜を形成するための酸化炉搬入方法
- 微細MOSFETデバイスの試作に用いる電子線描画に関する研究
- Double Side Quasi-SOI MOSFET