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東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 | 論文
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- 29p-ZE-3 走査型ホール素子顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区観察
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 総説:スピンエレクトロニクス (特集 スピンエレクトロニクス)
- 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
- 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 理論
- 26a-YG-7 2層量子ホール効果の横磁場依存性(理論)
- トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析
- 交換バイアス型スピンバルブ素子のスピントルク磁化反転
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