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東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 | 論文
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクスの材料戦略
- 第17回日本IBM科学賞エレクトロニクス分野 ; 田中雅明氏
- スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 磁性半導体およびその関連構造の結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
- 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
- スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
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