スポンサーリンク
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 | 論文
- GaAs/InAs(001)超格子半導体のバンド構造
- 半導体スピントロニクスと量子コンピューティング (特集 スピントロニクス(2)スピントロニクスデバイス)
- 酸化亜鉛電界効果デバイス
- 強磁性半導体ヘテロ構造 (特集:表面・界面科学研究)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のv=2量子ホール状態(I)
- 30a-Q-5 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(II)
- 30a-Q-4 2層2次元電子系における2種類のν=2量子ホール状態(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II) : 層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 8p-N-12 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(II)層間量子位相の自発的発生
- 8p-N-11 2層量子ホール状態ν=1の異常な安定性(I)
- 多重内部反射赤外分光法による環境計測
- ZnSe結晶における多重内部反射FTIRの基礎データの測定
- 多重内部反射FTIRをもちいた環境モニタリング
- 応用事例 キャリア誘起強磁性の電界制御 (特集 応用広がる磁性材料)
- 22aK-8 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのMn2p内殻磁気円二色性
- III-V族磁性半導体とそのヘテロ構造 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (光-スピン(半導体とスピン))
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 30p-ZF-3 (Ga, Mn)Asとそれを用いた三層構造、ヘテロ構造の磁気輸送特性