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東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 | 論文
- 30p-ZB-10 2層量子ホール効果における活性化エネルギーの横磁場依存性
- 8a-E-17 (Ga, Mn)Asの超強磁場赤外磁気光吸収
- 磁性/非磁性半導体ヘテロ構造におけるスピン注入
- 27bYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 27pYS-2 III-V族希薄磁性半導体の物性
- 半導体スピントロニクス素子・材料のスピン制御 (強誘電体メモリとスピントロニクス素子)
- クローズアップ:半導体デバイスへのスピン注入を実現
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 8a-E-16 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導II
- 29p-R-6 Ga_Mn_xAsにおけるホッピング伝導
- 29p-R-5 Ga_Mn_xAs/GaAsにおける巨大な負の磁気抵抗効果
- 強磁性半導体を用いたスピン偏向発光ダイオード
- 長波長量子カスケード構造サブバンド間発光素子--電流注入型テラヘルツ帯光源を目指して (特集:テラヘルツ光)
- 非磁性半導体量子構造中のスピントンネル
- 30p-ZF-7 2層2次元電子間のスピン依存トンネリング
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価
- (Ga, Mn)Asの磁性と電気伝導
- 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
- 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
- 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果