スポンサーリンク
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 | 論文
- 30p-ZB-9 二次元電子間のトンネル現象におけるスピンの影響
- 強磁性を示す希薄磁性半導体の物性とヘテロ構造
- 28a-YN-1 Ga(Mn)Asのサブミリ波ESR
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性 : 実験
- 26a-YG-6 2層量子ホール効果の横磁場依存性(実験)
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造
- 3-5族ベ-ス希薄磁性半導体のGMR (固体物理特集号)
- 陽極酸化法による水素化非晶質シリコン中の材料欠陥の選択的不活性化とp-i-n形太陽電池作製への応用
- 高読出しディスターブ耐性と長リテンションを実現する高耐熱スピン注入RAM
- 2層系量子ホ-ル効果--どのような現象が期待されるか?
- 医学・生物応用光学
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル, 2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM
- タイプ2 InAs/GaSb/AlSbヘテロ構造量子井戸サブバンド間の電流注入発光
- 26p-YE-1 2層系量子ホール効果の新展開
- JRDC 国際シンポジウム ナノ構造と量子効果
- トリメチルガリウムを用いたGaAsの原子層エピタキシと表面カイネティクス(「核形成と成長カイネティクス」)
- III-V 族希薄磁性半導体の輸送現象と磁性
- SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析--光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討
- 5p-I-6 低温低周波プラズマCVDによるシリコン窒化膜生成と放電条件について
- MOCVD法によるSiドープGaAlAsの成長 : 気相成長