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東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設 | 論文
- 化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用--GaAs-TMGa系の原子層エピタキシの機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (核形成と成長のカイネティクス)
- 3-5族化合物半導体をベ-スとする希薄磁性半導体
- In-situ Observation(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- ショットキ-電極を用いたIn0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオ-ド
- 有機金属気相成長法によるGaAs再成長界面の評価
- 半絶縁性GaAs基板の絶縁破壊機構に関する検討
- GaAsおよびInP化合物半導体の陽極酸化と界面の電気的性質 (金属と半導体の表面不働態化)
- 半導体と磁性体に橋を架ける
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 透明電極上に形成された陽極酸化TiO_2ナノチューブ膜の色素増感太陽電池への応用