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東北大学 大学院 工学研究科 | 論文
- 大型ケーブル・イン・コンジット導体の結合損失の形状依存性
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 部分観測マルコフ環境における階層型強化学習 : スイッチングQ-学習の提案
- 電磁力模擬圧縮力印加後の大型超電導CIC型導体の素線軌跡に関する研究
- 55%Al-Zn合金めっき鋼板上の有機-無機複合皮膜中に含有したリン酸亜鉛とケイ酸カルシウムによる自己修復効果
- 亜鉛めっき鋼板上の有機皮膜との密着性に及ぼす前処理皮膜組成の影響
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
- RTN測定の高精度化・高速化技術とRTN特性に強い影響度を示すプロセス条件(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール,特別企画「CCD誕生40周年記念講演-黎明期-」)
- 実不働態皮膜から人工不働態皮膜へ, そして再び実不働態皮膜へ
- 大型超電導CIC導体内の素線配置による臨界電流特性の検討
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