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東京農工大学大学院・工学系 | 論文
- 日本結晶成長学会・会長退任にあたり
- 01aA12 GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 原子層エピタキシーに魅せられて : 窒化ガリウム自立基板結晶の創製
- InGaN混晶半導体における原子配列の理論的検討
- 光パルスシンセサイザを用いた形状可変なパルス圧縮(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-8 光パルスシンセサイザを用いた形状可変なパルス圧縮(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-86 光給電による遠隔センサノードの駆動技術(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 光パルスシンセサイザで発生した短光パルスのファイバ伝播特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 第2回III族窒化物結晶成長国際シンポジウム報告
- 第5回バルク窒化物半導体国際ワークショップ報告
- 01aA11 HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 17pB02 AlCl_3固体原料を用いたAlN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB04 ハライド気相成長法によるAl_xGa_N成長の熱力学解析 : キャリアガス中水素分圧の影響(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
- シリコン中の窒素の構造決定
- 熱電対による太陽電池モジュールの温度測定方法
- 26aC03 II-IV-V_2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討(スピンエレクトロニクス材料,第34回結晶成長国内会議)
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態解析
- 23pRJ-2 エピタキシャル成長を熱力学で考える(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17pTG-5 分子軌道計算によるシリコン中窒素の局在振動解析
- Si埋め込み磁性ドット配列の磁気特性と磁化状態の解析(ハードディスクドライブ及び一般)
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