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東京農工大学・工 | 論文
- 化合物半導体気相成長の熱力学
- 3H1445 膜タンパク質予測システムSOSUIによる生物ゲノム比較解析の展開
- 22aB3 GaAs面上への水素吸着 : その場測定と量子化学計算(気相成長I)
- GaAs(111)A Ga面上への水素吸着 : その場測定とAb initio計算 : 気相成長II
- パルス気相エピタキシャル法によるGaAsの成長
- 5-4.ガス導入ICP/MSによる金属化合物の蒸発挙動の直接観察((2)燃焼・蒸発,Session 5 燃焼・熱利用)
- 化学組成調節による溶融飛灰の加熱安定化処理
- 8-10.リバーニング処理した飛灰ペレットからの重金属溶出特性((3)廃水処理・不溶化・隔離技術,Session 8 環境対策・リサイクル)
- 開管系におけるInPの気相成長 : 結晶成長
- 1R26 新しいDNAプローブのエネルギー計算
- GaAsの気相成長に関する熱力学的考察 : 半導体(結晶成長)
- 3連F07 ネマティック液晶と固体表面の結合 : ねじれ変形
- 3連F06 ネマティック液晶徒固体表面の結合 : 極角変形
- 22aB4 cubic-GaNのALE成長のその場測定(気相成長I)
- 22aB2 窒化物半導体のMOVPE成長の熱力学解析 : NH_3およびN_2H_4の比較(気相成長I)
- 22aB1 トリハライド原料を用いた窒化物半導体の熱力学解析(気相成長I)
- 熱力学解析による窒化物MOVPE成長における水素の効果 : 気相成長IV
- 窒化物半導体気相エピタキシーの熱力学(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析
- InGaNのMOVPE成長における熱力学解析