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東京応化工業株式会社 | 論文
- Sr_2Bi_2TaO_9薄膜の成膜におけるゾルーゲル法の利点
- 白金電極の配向性がゾル・ゲル法により作製したSrBi_2Ta_2O_9薄膜特性に与える影響
- ゾルゲル法によるPZT薄膜の構造および強誘電体特性に及ぼす仮焼成温度の効果
- 半導体技術を用いた薄膜キャパシタ受動部品の作製
- 低分子EUVレジストの開発
- Sr_2Bi_2TaO_9薄膜の成膜におけるゾルーゲル法の利点
- 白金電極の配向性がゾル・ゲル法により作製したSrBi_2Ta_2O_9薄膜特性に与える影響
- Canon のArF液浸リソグラフィの開発状況
- F2露光装置開発の現状
- ゾル-ゲル法とスチーム処理を併用したSrBi_2Ta_2O_9薄膜の検討
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- イオン照射型DTMにおける磁気特性解析
- 構造改革が必要か
- 次世代リソグラフィ用フォトレジストの開発
- 193nm液浸リソグラフィ用材料開発の現状
- 微量As-Tl-Sガラスの分析法