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東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター | 論文
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- Fabrication of Nanocrystalline Silicon with Small Spread of Particle Size by Pulsed Gas Plasma ( Quantum Dot Structures)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 高性能薄膜ホール素子による磁性微粒子の検出
- Fe-Co-B/Ni-Fe/Si裏打ち軟磁性層の高異方性磁界の起源
- 高異方性磁界を有するFe-Co-B大飽和磁化軟磁性裏打ち層の開発
- 高異方性磁界を有するFe-Co-B大飽和磁化軟磁性裏打ち層の開発(垂直記録及び一般)
- 高飽和磁化と超高異方性磁界を持つ軟磁性薄膜の作製技術 : 500 Oe以上の異方性磁界を持つFe-Co-B軟磁性薄膜(新技術・新製品)
- C-7-5 Disk径方向に高異方性磁界を有するFe-Co-B/Ni-Fe/Si裏打ち軟磁性層の作製(C-7.磁気記録)
- Fe-Co-B/Ni-Fe/Si裏打ち軟磁性層の高異方性磁界の起源
- Fe-Co-B/M二層裏打ち軟磁性層の微細結晶構造及び磁気特性
- 酸化膜中間層による垂直磁気記録媒体のノイズ低減(第7回アジア情報記録技術シンポジウム)
- 酸化膜中間層による垂直磁気記録媒体のノイズ低減
- Fe-Co垂直磁気記録媒体用裏打ち軟磁性層の特性改善
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