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東京工業大学総合分析支援センター | 論文
- Y_2O_3-Ta_2O_5混合ドープZrO_2ゲート絶縁膜界面の高分解能観察
- 高分解能分析電子顕微鏡による二酸化セリウム/イットリア安定化ジルコニア/シリコンヘテロ界面構造の原子スケール構造評価(原子をみる)
- YSZシード層によるSi(001)基板上へのCeO_2薄膜のエピタキシャル成長
- バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
- 3L19 π種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能 TEM 観察
- S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
- 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
- 1A07 イットリア添加ジルコニア薄膜の電気伝導性に及ぼす柱状組織の影響
- 非対称X線回折によるエピタキシャル薄膜の残留応力の評価手法
- 強誘電性・強磁性マルチフェロイック物質の現象と展望 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)
- MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
- 3A15 TEM, XRD による PMN/LSCO/CeO_2/YSZ/Si 薄膜のインテグレート構造と誘電率の膜厚依存性
- 3 mol%Y_2O_3-ZrO_2の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす相分離の影響
- セリア部分安定化ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングの臨界応力に及ぼす軸比の影響
- ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングに及ぼす希土類イオン半径の影響
- 正方晶ジルコニア擬単結晶の強弾性ドメインスイッチングと酸素欠陥の関係
- ジルコニア結晶の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす応力,温度の影響
- ZrO2と強弾性ドメインスイッチング
- シード層の導入によるPZT,PT薄膜の結晶性/配向性の制御(セラミックスインテグレーション)
- YSZ/SiO_x/(001)Si薄膜のエピタキシャル成長における極薄SiO_x層の役割(セラミックスインテグレーション)