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明治大学理工学部電気電子工学科 | 論文
- 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発(機構デバイス)
- Cu CMP後のCu表面解析
- 炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討(半導体材料・デバイス)
- 表面波プラズマ源を用いた大型液晶基板のエッチング及びアッシングの高速化
- LEDアレイと光位置検出素子を用いたファジイ倒立振子制御システム
- エッチングフリーInP基板のクリーニング技術とInGaAs系MBE成長
- GaAs:YbF3及びGaAs:YbPエピタキシャル層の光学的・電気的性質
- GaAs中でのYb化合物によるELスペクトル
- 熱・光CVD装置の製作
- イオン注入によるInP光検出器の試作
- LPE炉の設計と製作
- 光集積用薄膜導波路の伝搬モ-ド
- ネオジウムガラスレ-ザ-の製作とその基本特性
- 光磁気効果の厚さ依存性
- 電波吸収体用磁性材料の温度特性
- 2002年 研究開発の動向
- Fe-Si系半導体の作製と評価
- 確率的な配電系統拡張計画のための解の多様性を考慮した多目的 Memetic Algorithm の適用
- 平成20年電力・エネルギー部門大会報告