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日立 デバイス開セ | 論文
- 600Mb/s同時双方向I/O回路を内蔵したCMOSゲートアレイ
- アクセス時間1.9ns高速10ポートSRAM
- 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
- Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
- 絶縁膜用UHF-ECRプラズマエッチング装置 (特集 最新の半導体技術とその応用) -- (半導体製造・検査システム)
- 画像専用RAM
- 256kビットマルチポ-トビデオRAM"HM53461","HM53462" (情報産業を推進するVLSI技術)
- 256kビットダイナミックRAM (OAを推進するマイクロコンピュ-タ関連LSI技術)
- アクセス時間1.9ns高速10ポートSRAM
- アクセス時間1.9ns高速10ポートSRAM
- 3-1 システムLSIを支えるデバイス, プロセス技術 (3. 基盤技術)
- C-12-27 クロストークを用いた新インタフェース(XTL)の差動化
- テクノトーク 情報活用の可能性を広げ,新たな感動の創出に貢献するユビキタスHDDソリューション (特集1 ユビキタスHDD)
- ユビキタスHDDソリューション (特集 デジタルが広げるユビキタス映像ライフ)
- サブ100nm時代の半導体プロセス・製造技術の展望 (特集 最先端半導体デバイスの生産を実現するベストソリューション)
- 0.1μm時代の半導体製造・検査技術の展望 (特集 最新の半導体技術とその応用) -- (半導体製造・検査システム)
- 1Mビットフレ-ムメモリ"HM53051"
- 1MビットダイナミックRAM「HM511000シリ-ズ」 (情報産業を推進するVLSI技術)
- セルベ-スICの活用例 (情報産業を支えるASIC技術)
- 通信制御プロセッサ (情報化時代を先取りするマイクロコンピュ-タHシリ-ズ)