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日立製作所中央研究所 | 論文
- 高出力HEMTのゲインマップによる線形性解析
- 単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT
- 単一電源動作高効率Pt埋め込みゲートInGaAsひずみチャネルダブルヘテロHEMT
- P328 Perfluorocarbonによる超音波血栓破砕増強作用の濃度依存性と超音波強度依存性についての検討
- パイプライン型ADCの高速デジタルバックグランドキャリブレーション(再構成可能デバイス/キャリブレーション,システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- P-239 肺磁図を用いた肺癌および塵肺診断の試み
- P215 低周波超音波と各種Perfluorocarbonの併用による血栓破砕効果
- 補間画素配置を用いた高解像度MOS形撮像素子
- 4-1 MOS単板カラーカメラの画質改善
- 高解像度MOS形固体撮像素子
- 3-13 MOS形固体撮像素子の垂直スメア
- 4-13 補色方式単板カラーカメラ
- 2-6 2/3インチ単板カラーカメラ用MOS形固体撮像素子
- 2-5 MOS形固体撮像素子の固定パターン雑音抑圧方法(その1)
- 2-3 MOS形固体撮像素子用低雑音走査回路
- レーザアニールによるSi 薄膜溶融, 結晶化過程の実時間観測と結晶の高品質化
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- レーザアニールによるSi薄膜の溶融、結晶化過程の実時間観測
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程