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日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所 | 論文
- 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(2008MTT-S Japan Chapter Young Engineer Award受賞講演)
- 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 最適要素抽出法による高速・高密度半導体パッケージモデリング(パッケージの電気解析・CAD技術,次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
- SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM
- 100Gbps級超高速MAC方式の検討 : テラビット級LAN NICの実現に向けて(光ノード,光インタフェース,波長多重ネットワーク技術,光ノード技術,WDM技術,光LAN技術,光信号処理技術,一般)
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- WCDMA用電力増幅器の低歪・高効率化回路技術 : 動的プリディストーションとポーラ変調技術(移動通信ワークショップ)
- 超小型コアヘッドによる高周波磁気記録
- SC-5-6 スピントンネル素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
- SC-5-4 Co-Ni-Feめっき膜を用いた高密度記録ヘッドの開発
- 技術開発 高速・大容量磁気ヘッド技術 (ストレージソリューション技術特集)
- 高飽和磁化磁極を用いた記録ヘッド : 高速記録用小型コアCo-Ni-Fe記録ヘッド
- MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 高Bs記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
- 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性