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日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 学生実験のあり方について
- パルス変調プラズマ - プラズマの制御とそのプロセスへの展開 -
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
- 結晶工学分科会, シリコンテクノロジー分科会共同企画 : 超高速・低消費電力トランジスタを実現する結晶材料・プロセス・デバイス技術
- 4a-PS-34 Si固相成長における界面7×7超格子構造の変化
- 6p-W-1 a-Si/Si(111)界面に存在する7×7超格子構造の直接観察
- 9-3 CCDのVOD対数特性を活用した広ダイナミックレンジカメラの開発
- 1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ
- 8)2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 6)1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2-10 分光特性に基づくCCDイメージセンサにおけるスミアの解析
- 2/3インチ130万画素IT-CCDイメージセンサ
- 1024×1024画素プログレッシブスキャンCCDイメージセンサ
- 4)IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- IT-CCDイメージセンサにおける光学的なセル縮小限界
- 1)新フォトダイオード構造を用いた低スミア・高感度200万画素IT-CCD(〔情報入力研究会 コンシューマエレクトロニクス研究会〕 合同)
- 1)2/3インチ200万画素IT-CCDイメージセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 3-6 タングステン遮光膜構造によるCCDのスミア低減
- LSI基板の熱応力シミュレ-ション--ランプアニ-ル時の熱応力解析 (セラミックスとシミュレ-ション)