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日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- 単結晶AlN/ダイヤモンドヘテロ構造成長
- Laser Review フォトニック結晶ナノ共振器による光ランダムアクセスメモリの研究 (「省エネルギー光信号処理研究の最前線 : デバイスからシステムまで」解説小特集号)
- 10.フォトニック結晶によるfJ/bit集積ナノフォトニクス(ナノデバイス)
- 超伝導磁束量子ビットとスピン集団のコヒーレント結合
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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- C-3-75 フォトニック結晶導波路スローライトによる高分解能可変遅延とその応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- フォトニック結晶ナノ共振器による光ランダムアクセスメモリの研究
- p-i-n接合フォトニック結晶微小光共振器による全シリコンフォトディテクタ
- 光の断熱波長変換と共振器オプトメカニクス : 二層型フォトニック結晶を例に
- NOおよびO吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)
- 光集積技術としてのフォトニック結晶
- 磁気光学効果を用いたイメージング技術でみる表面弾性波下の半導体スピンダイナミクス
- フェムト秒レーザー励起二光子蛍光顕微鏡法を用いた表面プラズモンポラリトンのイメージング
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 26pBL-14 フェムト秒表面プラズモン波束の時間分解ダイナミクス(26pBL 超高速現象,領域5(光物性))
- ダイヤモンド結晶成長 : パワーデバイス応用への現状と課題(ダイヤモンド成長)
- NO_2およびO_3吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング