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日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所 | 論文
- 自己組織化InGaAs歪量子デイスクと半導体レーザ応用 (招待講演)
- 狭放射角InGaAs歪量子井戸レーザとコア拡大付FBGとの高効率結合
- GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
- ファイバブラッググレーテイングによる波長安定化1.016μmInGaAs歪量子井戸レーザと1.3μm帯Prドープ光ファイバ増幅器への応用
- 樹脂封止ハイブリッド集積型LD-PDモジュールの信頼性
- 樹脂封止ハイブリッド集積型LD-PDモジュールの信頼性
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
- 1.3μm 帯光ファイバー増幅
- SC-1-4 フォトニック結晶スラブを用いた PBG 導波路と PBG 共振器
- 3. 将来に向けた革新技術 : 3-3ハイブリッド光集積デバイス (フォトニックネットワーク用光デバイス)
- 射出成形による通信用光学部品の作製(進化する射出成形技術)
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチ及び 5GHz RZ(Return to Zero) 光パルス列変調
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチおよび 5GHz RZ (Return to Zero) 光パルス列変調
- シリコンを用いた2次元フォトニック結晶スラブ構造の新展開
- CS-8-4 フォトニック結晶共振器・導波路結合系による超低エネルギー全光スイッチ及び全光メモリデバイス(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- 超高Qナノ共振器によるスローライト生成
- 自己保持型フォトクロミック高分子搭載マッハツェンダ光スイッチ
- 光スイッチ素子を開発 - 光で光を処理する -
- Ordered Quantum Dots : A New Self-Organizing Growth Mode on High-Index Semiconductor Surfaces