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日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- Siフォトニクスに向けたSi系フォトニック結晶材料
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- C-3-114 サイドトンネル型ホーリーファイバの非線形光学特性(C-3. 光エレクトロニクス(ホーリーファイバ), エレクトロニクス1)
- 光サンプリングによる高速光信号波形測定技術
- 光サンプリングによる高速光信号波形測定技術
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- 単一電子を利用した確率共鳴 (シリコン材料・デバイス)
- 単一電子を利用した確率共鳴 (電子デバイス)
- 神経回路の活動依存性変化
- 神経回路活動とCa変動の同時計測
- LSI技術におけるカーボンナノチューブ配線 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 24pPSA-4 歪み分布を制御したSi表面の解析 : 理論と実験
- 表面・界面歪の制御によるナノ構造の自己組織化
- カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線
- 材料・応用編 カーボンナノチューブ自己組織化ナノ配線 (特集 カーボンナノチューブが拓く新世界--挑戦と創造)