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日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- 表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
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- SC-1-4 フォトニック結晶スラブを用いた PBG 導波路と PBG 共振器
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- SOI基板を用いた酸化物クラッド2次元フォトニック結晶
- SC-4-2 SiフォトニクスにむけたSi系フォトニック結晶
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノMOSFETを利用した単一電子・確率的情報処理回路 : 単一電子のランダムな振る舞いの検出と制御(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
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