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日本オプネクスト株式会社 | 論文
- シリコンシャドーマスクを用いたMOVPEによる1.3μm帯ビーム拡大器集積レーザ
- 長波長帯歪 InGaAsP-MQW 逆メサリッジレーザの高温高出力特性
- 1.5μm帯歪InGaAsP/InP MQW逆メサリッジレーザの高温特性
- 0.98μm帯面発光レーザ用InGaP/GaAs多層膜反射鏡の高反射率特性
- 光伝送技術の導入と光電気変換部の発展(光回路実装技術基礎講座「光配線と電気配線の融合化技術」第2回)
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザにおける発振遅延時間低減の検討
- 1.3μm帯n型変調ドープ歪MQWレーザによるキャリア寿命時間の低減
- 逆メサリッジ側壁を有する高出力歪InGaAsP/InP MQWリッジ導波路型レーザ
- B-10-47 小型・低消費電力 直接変調型 10Gbit/s 光トランシーバモジュール
- BP-3-5 クライアントサイド100Gbit/s光トランスポンダの最新技術動向(BP-3."安全で強固な"超高速光伝送システムの実現に向けて,パネルセッション,ソサイエティ企画)
- LGLC型波長可変レーザを用いたTunable TOSAにおけるフルC-band 10.7Gbps-80kmファイバ伝送(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 LGLC型波長可変レーザにおけるLGLCフィルタ変動に対するサイドモード抑圧比の高安定性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-31 SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 非対称周期変調型回折格子を有する1.3μm帯DFBレーザにおける28Gbps高マスクマージン直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)