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慶應義塾大学 理工学部 電子工学科 | 論文
- アナログ離散時間信号処理のための高線形かつ広帯域サンプリング回路(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- I-001 姿勢や表情変化にロバストである三次元顔認証システムの提案(グラフィクス・画像,一般論文)
- Double Thresholding方式を用いた1V299μW Flashing UWBトランシーバ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- Double Thresholding方式を用いた1V 299μW Flashing UWBトランシーバ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- Two-cycleレベルセット法による輪郭抽出処理のハードウェア化(応用,組込技術とネットワークに関するワークショップETNET2008)
- 25%のロッキングレンジを持つ20GHzインジェクションロックLC分周器(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 25%のロッキングレンジを持つ20GHzインジェクションロックLC分周器
- I-062 被写体形状を考慮したフラクタル輪郭抽出法(グラフィクス・画像,一般論文)
- I-027 Bスプライン補間を用いた画像拡大法の改善(グラフィクス・画像,一般論文)
- 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測
- 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
- リソグラフィー限界を越えたSi量子細線MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケードの観測
- 低電圧動作0.1ミクロン薄膜SOI MOSFETの試作と特性評価
- 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測
- スプリットゲートによる極微細SOI-MOSにおけるコンダクタンス振動現象
- SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象
- SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象
- 非接触メモリカードのための2.5Gb/s/ch 4PAM誘導結合送受信機(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 低消費電力3次元システム集積に向けた65fJ/b誘導結合トランシーバ(学生・若手研究会)
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