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愛知工業大学工学部電気学科電気工学専攻 | 論文
- MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNストライプ構造のMOVPE成長と光学特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Si基板上へのGaN/AlGaNピラミッド列のMOVPE成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- (001)Si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(III族窒化物研究の最前線)
- 量子ドットにおける電子散乱とフラクタル的量子伝導 (特集 量子力学とカオス--広がりゆく交流と展望)
- パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- MBE法によるパターン基板上へのGaAs/AlGaAs量子井戸構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
- 選択成長法によるシリコン基板上へのGaNドット列の作製
- MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六法晶GaN微細構造の作製と制御
- MOVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への六方晶GaN微細構造の作製と制御
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