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広大院先端研 | 論文
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO_2膜及びSiO_2/Si界面の形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- 19pXA-11 電子ドープβ-HfNCl超伝導体のトンネル分光(分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pWE-13 AlB_2型超伝導体CaAlSiのトンネル分光(その他の遷移金属化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 14pRC-2 層状硼化物 MgB_2 の電子-格子相互作用(MgB_2 : MgB_2 とその他の超伝導, 領域 8)
- 30aWN-3 層状窒化物超伝導体ZrNCl_のトンネル分光II(物質設計・トンネル効果)(領域7)
- 21aXE-3 層状窒化物超伝導体 ZrNCl_ のトンネル分光
- 28aZN-9 層状窒化物超伝導体 HfNCI_ のトンネル分光
- 28aZN-5 トンネル分光による MgB_2 の超伝導ギャップの磁場効果
- 20pYA-1 高温超伝導体MgB_2のトンネル分光
- サブポアソン光 : 光子数揺らぎへの挑戦
- 24aA-6 発光ダイオードを用いた広帯域サブポアソン光の発生
- 7p-Q-8 コレクティブ・クーロンブロッケイド効果の観測
- 6a-J-1 巨視的クーロンブロッケイドと再結合ダイナミクスを考慮した強度雑音抑制の周波数特性
- 発光ダイオードを用いたサブポアソン光の発生とクーロンブロッケイド効果