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広大院先端研 | 論文
- 30aYK-9 近藤半導体CeRhAsの相転移と熱電物性
- 29pYL-14 La_Sr_xCuO_4における半導体相でのトンネル分光
- 27aZA-1 CeBiPtの弾性率
- 23pPSB-12 弱い強磁性体YbRhSbの圧力誘起強磁性秩序(23pPSB ポスターセッション(f電子系等II),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pPSB-30 弱い強磁性体YbRhSbの磁化の圧力効果(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pZL-10 圧力下Ca_2RuO_4の示す異方的巨大磁気抵抗効果(24pZL Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aPS-16 NiCrAl合金を用いたSQUID用ピストンシリンダー型圧力セルの開発(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pXP-5 酸化物高温超電導体の内殻2p硬X線光電子分光における新しいスクリーニング効果(光電子分光,領域5(光物性))
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
- SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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