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奈良先端大物質創成科学研究科 | 論文
- 27pYC-12 GaAsナノクリスタルの共鳴励起発光特性と電子構造
- フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 : 金属ナノ粒子による伝導パスの制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- 27aYC-18 a-Si/SiO_2超格子の時間分解発光スペクトル
- 31a-ZH-12 a-Si/SiO_2超格子の発光特性と励起子局在
- 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製
- 多結晶シリコン薄膜トランジスタの新規作製技術ならびに解析技術
- 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 高圧水蒸気熱処理によるa-In_2Ga_2Zn_1O_7 TFTの特性改善効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- 蛍光体粉末の微粒化処理によるZnS無機ELの発光特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- T1602-3-1 MEMS用Si薄膜材料の内部応力増強に向けたNiフェリチンを用いた金属誘起横方向結晶成長([T1602-3]マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(3))
- グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Three-Dimensional Nanodot-Type Floating Gate Memory Fabricated by Bio-Layer-by-Layer Method
- ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理の効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- ゲル-ナノインプリントプロセスによるZnO-2次元フォトニック結晶の作製(シリコン関連材料の作製と評価)
- 平面電極を用いた分散型無機ELパネルの基本特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- Ti電極上コバルトナノ粒子の位置選択性制御(シリコン関連材料の作製と評価)
- 11-11 偏光分析CMOSセンサとそのマイクロケミストリへの応用(第11部門 情報センシング1)
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