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大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター | 論文
- パルスレーザー堆積法によるガラス基板上ZnO-TFT の作製と特性評価
- InAs薄膜からの高強度THz波放射の膜厚依存性
- 自己形成的に分子線エピタキシャル成長したInAs/GaAs多重積層量子ドットからのエキシトン発光
- Application 酸化亜鉛薄膜を用いた透明トランジスタ開発とバイオメディカルセンサへの応用
- 酸化亜鉛表面の有機分子修飾(半導体エレクトロニクス)
- 分子線エピタキシー法によるZnS/ZnOヘテロ接合の作製と界面反応
- シリコン基板を用いたZn_Mg_xO薄膜の分子線エピタキシー
- A 面サファイア基板を用いた単結晶 ZnO 薄膜の分子線エピタキシャル成長(半導体・エレクトロニクス)
- CS-9-1 ZnOトランジスタ応用について(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- ZnO/ZnMgO Hetero-MISFET におけるゲート絶縁膜の検討と特性評価
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 低温ZnOバッファ層を用いたガラス基板上ZnO薄膜のPLD成長
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価
- 井戸内のイオン化不純物を考慮したZnO/ZnMgO多重量子井戸の電子状態の計算
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- a面サファイア基板上にエピタキシャル成長したZnOおよび(Zn,Mg)O単結晶薄膜のX線回折による評価
- サブテラヘルツ波検出を目指したダイオード構造の作製と特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- クリーンルームを用いた学部学生のためのデバイス製作実習教育
- ZnO/ZnMgOヘテロMISFETの作製と特性評価