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大阪大学基礎工学部電気工学科 | 論文
- カンチレバ構造を用いたシリコン基板光集積回路流量センサ
- 光ICのマイクロ波/ミリ波応用 (光集積回路特集号)
- 誘電体光集積回路の現状と将来 (光集積回路特集)
- 4.高速光変調器(光デバイス)
- 2. 光の基本素子 2.1 光集積回路 (オプトエレクトロニクス)
- 超高速導波型光変調素子とその集積化
- 広帯域導波形光強度変調素子
- 光変調器の温度特性安定化
- 電気光学結晶基板を用いた導波形光変調器
- 26pPSA-31 Co/Ni磁性細線の電流磁気効果
- SQUIDを用いたリモートNDE(SQUID,一般)
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 -SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜-
- フォトレフレクタンス分光法による初期酸化時Si表面の評価
- Si(100)表面の清浄化とフッ素処理効果の赤外反射吸収分光法による評価
- レーザアブレーション法によるBi系層状強誘電体薄膜の作製 : SrBi_2Ta_2O_9とBi_4Ti_3O_薄膜
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出 : 情報ディスプレイ
- 強誘電体PZT薄板からの電子放出
- 強誘電体PZTセラミックからの電界電子放出
- フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
- 29p-N-2 鉛含有ペロブスカイト薄膜の作製と評価