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名城大・理工 | 論文
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 3P099λ及びCroリプレッサーと核酸の特異的相互作用の解析
- 1L1700 蛋白質・DNA認識における塩基置換効果の予測(V)Croリプレッサーと核酸の特異的相互作用の解析
- 3PA124 蛋白質・DNA認識における塩基置換効果の予測(IV) Lambda及びCroレプレッサーの配列認識における特異的相互作用の成分分析
- 蛋白質・DNA認識における塩基置換効果の予測(III)
- 1R05 蛋白質-DNA認識における塩基置換効果の予測(II)
- Precise Control of Growth of VCSEL Structure by using MBE in-situ Reflectance Monitor
- Comparative Ground Experiment of GaSb:Te Melt Growth to the Space Experiment by Chinese Recoverable Satellite
- アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 403 突き合わせはんだ接合継ぎ手強度に及ぼす温度及び負荷速度の影響(締結・接合部の力学・プロセスと信頼性評価)
- OS0805 ねじりピンテスト法による溶射被膜の付着強度評価に関する研究(OS08-02 薄膜・皮膜の特性評価とその膜構造2,OS08 薄膜・皮膜の特性評価とその膜構造(1))
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