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名城大・理工 | 論文
- 出版関係のこと
- 3p-KE-8 X線Pendellosung稿法によるα-水晶の構造因数の絶対測定
- 58. 知多半島 野間層の層序と堆積年代
- 329 知多半島河和背斜に認められる2つの tectonic phase
- 18 知多半島野間層における下部海成粘土層中の火山ガラス屈折率 (予報)
- 27 常滑層群豊丘累層の層序
- 知多半島常滑層群基底の不整合面の形態 : その2,岩屋・内福寺・内扇地域 : 第四紀
- 知多半島常滑層群基底の不整合面の形態
- P051 窒素雰囲気微粒子衝突処理を施したTi-6Al-4Vの基礎的特性(フェロー賞表彰対象ポスターセッション)
- P043 硬質被膜形成に及ぼす微粒子衝突処理の影響(フェロー賞表彰対象ポスターセッション)
- P038 FPB処理を施した純銅摩擦攪拌接合継手の強度特性(フェロー賞表彰対象ポスターセッション)
- P026 FPB処理により創製された微細化結晶粒を有する材料の強度特性(フェロー賞表彰対象ポスターセッション)
- 音の伝搬に及ぼす気象の影響 : 市街地の上空気象観測データを用いた音線理論による検討
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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