スポンサーリンク
名古屋工業大学機能工学専攻 | 論文
- 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積CdS薄膜の結晶構造と光学的特性
- 光化学堆積CdS薄膜の結晶構造と光学的特性
- 光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-12-47 Neuron MOSFETを用いて構成した音源定位のためのLSI設計
- 光化学堆積SnO薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 (電子デバイス)
- 光化学堆積SnO薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 (電子部品・材料)
- 光化学堆積SnO薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作 (シリコン材料・デバイス)
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 (電子デバイス)
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 (電子部品・材料)
- 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 (シリコン材料・デバイス)
- 電気化学堆積CuO薄膜へのHO処理 (電子部品・材料)
- 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
- 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
- 拡がり抵抗測定により求めたSOI基板中のキャリア分布
- 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
スポンサーリンク