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名古屋工業大学機能工学専攻 | 論文
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
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- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
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- 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
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- 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
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- 窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価
- 金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価
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