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名古屋大学工学研究科量子工学専攻 | 論文
- カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-8-14 タイムシフトスピードアップバッファ用シフトレジスタの設計の試作
- C-8-4 SFQネットワークスイッチ要素回路の55GHz動作実証
- 水蒸気による希土類系水素吸蔵合金の表面酸化
- 水蒸気中で加熱したMmNi_5合金粉末の微細構造と材料特性
- 水蒸気中で加熱したMmNi_5合金粉末の表面層の微細構造
- 単一磁束量子回路による超高速信号処理(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- C-8-9 4x4単一磁束量子クロスバスイッチの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-8 単一磁束量子タイムシフト入力型2x2スイッチの設計と動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- 単一磁束量子論理回路スイッチICの性能評価(デバイス・一般)
- C-8-10 単一磁束量子スローダウンバッファの設計
- カーボンナノチューブFETの電気特性制御(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いた化合物半導体デバイスの電位分布測定
- プラズマCVD SiN膜キャップアニールの2次元電子ガスへの影響
- 共鳴トンネルダイオードのスイッチング時間 : EOサンプリング法による評価と等価回路解析
- AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析
- スタブ型量子細線を用いた電界制御型量子干渉素子の三端子動作
- GaAs/AlAs二重障壁構造の共鳴トンネル確率に及ぼす不純物の効果
- スタブ構造を有する量子細線における干渉現象の電界による制御 (量子固体エレクトロニクス)
- 半導体デバイスにおけるSn-Ag-CuおよびSn-Ag-Cu-Biはんだと無電解Ni-Pとの接合界面のTEM観察