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古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター | 論文
- IFVD窓構造による高出力高信頼性915nm半導体レーザ
- 製品技術紹介 次世代高速大容量通信用面発光レーザ
- RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
- レーザー
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 直接接着法を用いたGaAs基板上の波長1.3μmレ-ザの開発
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
- 光アンプ励起用250mW1480nmLDモジュール(FOL1404QQシリーズ) (WDM関連技術小特集)
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
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- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
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- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
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- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
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- ファイバーアンプ励起用高出力半導体レーザー
- 3-14 古河電工における歴史に残すべき技術 : 光ファイバと励起レーザ (3. 企業や研究機関等ごとの歴史に残すべき技術) (電子情報通信分野の歴史に残すべき技術 : 産業界を中心として)
- 光ファイバアンプ励起用半導体レーザ--ポンプレーザの最新技術 (特集 半導体レーザの最新動向)