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古河電工 | 論文
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 波長可変光源の線幅特性の改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-20 1.3μm高性能酸化膜狭窄(ACIS)レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
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- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- 高温超電導線材用配向テープ基板の作製と評価
- 表面酸化エピタキシー法によるYBCO薄膜テープの作製
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- エピタキシャル自己酸化された金属基板上へのYBCO成膜
- 金属基板上への高J_c-YBCO膜の作製
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
- SC-6-6 高耐圧GaN系FET及びエピ開発
- MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)