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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- ミリ波HEMT MMICとメタマテリアルの集積化(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- インターリーブを用いたシングルスロープAD変換器用高速ランプ波形発生器(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- C-10-5 プラズモン共鳴型エミッタにおける光励起テラヘルツ波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- CS-11-7 2次元プラズモン共鳴効果によるテラヘルツ波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- SiC上のエピタキシャルグラフェンの成長と電子輸送特性(グラフェンの成長と応用)
- 縦型共振器構造を有するInGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴フォトミキサーにおける室温テラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出,AWAD2006)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性
- InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
- MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
- MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
- C-10-12 MBE選択成長によるInGaAs結合量子構造の形成
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散紙の伝導機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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