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北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文

• MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
• AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
• MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
• (4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
• AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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