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北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文

• AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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• (4×6)Ga安定化面上に形成したSi界面制御層による(001)GaAs表面不活性化
• (4×6)Ga安定化面上に形成したSi界面制御層による(001)GaAs表面不活性化
• 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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