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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
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- 4-2 光通信用モノリシック集積半導体光デバイスの実用化と今後の展開(4.光デバイスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- C-4-13 400GbEに向けた1.3μm帯56Gbit/s EMLモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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- C-3-48 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90.ハイブリッドMMI集積型受光素子(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-27 InP系変調素子とドライバICを内蔵した小型DP-QPSK変調器モジュールの低消費電力駆動(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-47 100Gbit/s小型WDM集積光送信モジュールの開発(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-22 光合波機能を一体化した100Gbit/s小型集積光送信モジュール(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-20 光分波機能を内蔵した100Gbit/s小型光受信モジュールの開発(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-21 光分波機能を内蔵した40GBASE-ER4 QSFP+用小型光受信モジュールの開発(C-3.光エレクトロニクス)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- B-10-86 InP系90゜ハイブリッド集積型PDを用いた100Gb/s小型コヒーレントレシーバ(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
- B-10-85 128Gbit/s-DP-QPSK小型変調器モジュール用ドライバICの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
- 24aWE-4 GaInNAs/GaAs量子井戸構造の発光特性に対する局在効果(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
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