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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性 (電子デバイス)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上 (光エレクトロニクス)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上 (電子部品・材料)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上 (機構デバイス)
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上 (信頼性)
- 温調型光デバイス用セラミックパッケージの開発
- C-4-19 部分ドープ多重量子井戸によるInP系マッハツェンダ変調器の低駆動電圧化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-20 LTE基地局用E級動作エンベロープトラッキング増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-10-113 高利得50Gbit/s帯トランスインピーダンスアンプの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-3-55 3x1 MMIカプラを用いたDP-QPSK変調器の提案(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- B-10-114 40GBASE-LR4 QSFP+用WDM集積小型光受信モジュールの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作
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