スポンサーリンク
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 | 論文
- コンタクト工学の現状--半導体デバイスの界面科学
- GaNオーム性電極形成技術
- ED2000-102 p型InPに対する高信頼性Pd系オーミック・コンタクト材
- SC-5-3 p-GaNへの低抵抗オーム性電極
- V. デバイス, デバイス材料 金属・半導体界面反応層の微細構造と電気特性
- p-ZnSeおよびp-GaNワイドギャップ半導体のオーム性電極
- なぜショットキーバリアは形成されるのか
- 金属/ワイドバンドギャップ半導体界面とオーム性電極
- 金属/半導体および半導体/半導体接合界面におけるエネルギー障壁
- 半導体ダイヤモンド/金属界面の電気伝導機構
- 化合物半導体用コンタクト材料のメゾスコピック化
- 展望 21世紀における我が国の物づくり--米国より何を学ぶべきか
- 日本金属学会における材料戦略への期待
- Cu配線用バリア材の開発
- Ag/Bi2223単芯テープ材の引張応力-ひずみ特性と超伝導特性との相関
- Ag/Bi2223テープ材の繰り返し応力負荷による臨界電流の低下機構
- Bi2223単芯および多芯テープ材の機械的性質と臨界電流の引張ひずみ依存性
- MgO中でのAl不純物添加効果の陽電子寿命測定法による研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 小型全反射蛍光X線分析装置を用いた微量カドミウム分析
- 四国山岳地帯土壌浸出水のハンディ液体電極プラズマ発光分析装置を用いる分析