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京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 | 論文
- Weak link path model を用いたAg/Bi2223テープ材の電流輸送特性の解析
- 2次元性多結晶テープ材のJ-E特性の統計的解析 : 電流集中の効果
- 金属と半導体の接触界面--GaAs化合物半導体のオ-ミック・コンタクト材料 (境界領域を探る)
- GaAs系化合物半導体デバイス用超機能電極材料の開発 (特集 高機能を付与する成膜技術最前線) -- (開発事例編)
- Resistivity Reduction and Adhesion Increase Induced by Surface and Interface Segregation of Ti Atoms in Cu(Ti) Alloy Films on Glass Substrates
- Effects of Dielectric-Layer Composition on Growth of Self-Formed Ti-Rich Barrier Layers in Cu(1at% Ti)/Low-k Samples
- 極薄バリア層自己形成技術--冶金学的なアプローチ (特集 これだけは知っておきたい最新の配線・実装材料技術)
- Cu(Ti)合金微細配線における極薄バリア層の自己組織形成
- Self-Formation of Ti-rich Interfacial Layers in Cu(Ti) Alloy Films
- ULSI Si半導体デバイス用のCu配線材のナノ化の課題
- Grain Growth Mechanism of Cu Thin Films
- The Effect of Target Purities on Grain Growth in Sputtered Copper Thin Films
- p型SiC半導体/TiAl系オーミック・コンタクト材の界面構造
- Effect of Organic Additives on Formation and Growth Behavior of Micro-Void in Electroplating Copper Films
- The Effect of Strain Distribution on Abnormal Grain Growth in Cu Thin Films
- K04 バルク材と薄膜材の機械強度の相違
- 電子デバイスの高性能化に向けた無機・有機の融合研究課題
- 最新開発事例 次世代Si-ULSIデバイス用ナノCu配線材料の課題 (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- 金属・半導体接合界面制御によるオーム性電極材料開発 : n型GaAs化合物半導体を例として
- Effect of Annealing Atmosphere on Void Formation in Copper Interconnects