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九州共立大学工学部メカエレクトロニクス学科 | 論文
- 27p-PSA-8 Ag膜成長初期過程におけるSi基板表面水素のERDA観察
- 29p-BPS-59 高エネルギーイオンERDAによるSi(100)面上での吸着H,Dのふるまいに関する研究
- 29p-BPS-51 A1単原子層蒸着Si面上に及ぼす水素吸着の影響のLEED観察
- 24p-R-8 Si(111)-√Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察
- Bi/Si(100)面の走査トンネル顕微鏡観察
- 冷間圧延ステンレス鋼板の高光沢表面形成技術に関する研究
- 軸方向等の研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(加工・加工熱処理)
- 2901 軸方向研磨ロールで冷間圧延したステンレス鋼板の表面性状(S31-1 新技術への取り組み,S31 塑性加工技術の動向とその展開)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 低比抵抗ITO薄膜形成に関わる界面テンプレート層の存在について(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 異常な電子キャリア生成による低抵抗ITO薄膜(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 29p-PSB-6 TOF-ICISSによるPb/Si(111)表面の水素誘起エピタキシャルクラスタリングの研究
- 30a-ZD-5 Si(111)-?Ag表面の水素誘起構造変化のTOF-ICISS観察及びシミュレーション
- 29p-BPS-52 水素終端Si(100)面上におけるAg薄膜成長のTOF-ICISS観察
- 13a-PS-17 Si表面からのリコイル水素イオンの荷電状態III
- 1p-TA-6 Arイオン衝撃Si(100)表面のTOF-ICISS
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 微小領域の帯電を検出するセンサーの開発 : フェライト基板上におけるTi酸化膜の誘電率の検討(センサーデバイス・MEMS・一般)