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三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 | 論文
- 携帯端末基地局用100W出力HFET
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- 結合線路によりインピーダンス整合したミリ波帯MMIC増幅器
- HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
- InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ
- GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性
- U帯高出力HEMT
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- Cat-CVD SiNx膜の面内均一性向上に関する検討
- AlGaAs/InGaAsダブルヘテロHEMTを用いた高出力60GHz・70GHz帯モノリシック発振器
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 第28回欧州マイクロ波会議出席報告
- V帯ドレイン注入 : レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- ミリ波帯マルチメディア通信用ダウンコンバータチップセット (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析