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三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 | 論文
- C-2-12 レジスティブミクサの動作解析
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- モノリシック発振器における位相雑音のドレイン電圧依存性に関する一考察
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- V帯モノリシックドレインミクサ
- AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
- ミリ波帯低雑音PHEMTの耐γ線特性
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器(光部品の実装,信頼性)
- 40Gbps伝送用低チャープ・高光出力EA変調器
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
- C-2-27 吸収型高耐電力GaN FETスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- Si注入による無秩序化を利用した窓構造を有する0.98μm-LDの信頼性
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- C-10-8 マイクロ波時間波形測定システム
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- レーザダイオードの微細構造解析 (特集 マイクロ・ナノテクノロジー適用例とその評価・解析技術)