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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- スペースシャトル内封管InP気相エピタキシャル成長における安全性保証試験
- InP 気相エピタキシャル成長における重力効果(無重力下における結晶成長)
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-2 バイアス点及び利得圧縮量を変えた場合のF級と逆F級の効率比較
- C-10-1 ナイキスト判別法を用いたマルチセル合成FETの安定性解析
- C-2-20 逆F級増幅器における動作点と高調波位相の関係に関する考察
- C-10-19 低インピーダンス整合技術を用いた高効率電力増幅器
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- GSM方式携帯電話用HBTパワーアンプ (特集 化合物半導体)
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 1.55μm帯ファブリペロー半導体レーザのモードロック動作
- 遅延配線を挿入したタイミング設計手法を用いた10Gb/s 4:1 MUX/DEMUX IC
- 900nm帯高出力半導体レーザの開発
- 高出力高信頼レーザーダイオードパッケージ
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)