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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 利得結合DFBレーザの2.5Gb/s,100km伝送特性
- C-2-4 利得平坦化プリマッチ回路を用いたK帯2W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-30 非対称形状の電力合成器を用いた5GHz帯10W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 衛星搭載用K帯高効率MMIC電力増幅器 (特集 化合物半導体)
- 50%電力付加効率K帯MMIC増幅器
- コンデンサ装荷並列ダイオードMMICリニアライザを用いた18GHz帯高出力増幅器の歪補償
- Cat-CVD法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-4-4 43Gbit/sドライバ内蔵EAM-LDモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 80℃動作43Gbit/s PD-TIAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
- C-2-5 直並列/並列形保護用高耐電力スイッチの解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-4-16 ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- Si注入による無秩序化を利用した窓構造を有する0.98μm-LDの信頼性
- レーザディスプレイ用赤色半導体レーザ
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- C-10-8 マイクロ波時間波形測定システム
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