スポンサーリンク
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- C-2-20 電荷保存則を考慮したFET大信号モデルの検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 60W出力C帯広帯域高効率GaN-HEMT (特集 高周波・光デバイス)
- ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN-HEMT (特集 光・高周波デバイス)